ReRAM, или RRAM, – это энергонезависимая память, имеющая сходство с технологиями CBRAM и PRAM. Основная суть этой технологии заключается в том, что диэлектрики в момент приложения к ним высокого напряжения способны сформировать внутри себя проводящие нити низкого сопротивления (притом что диэлектрики обладают достаточно высоким сопротивлением). Во время приложения соответствующего уровня напряжения проводящие нити разрушаются, вновь превращая материал в диэлектрик и отключая функции проводника.
Помимо всего прочего, память ReRAM использует троичную систему счисления, что позволяет хранить в памяти куда более большее количество данных. Ещё одним преимуществом такой памяти является возможность изготавливать её в ощутимо меньших масштабах, нежели существующая сегодня память. Это, в свою очередь, увеличит скорость ввода и вывода данных и заметно понизит потребление энергии. Но на этом список преимуществ ReRAM не заканчивается.
Исследователи из Рейнско-Вестфальского технического университета Ахена и сингапурского Наньянского технологического университета сумели создать новый формат оперативной памяти ReRAM, имеющей в своём распоряжении дополнительное пространство, пригодное для исполнения вычислительных функций. Другими словами, учёным удалось перенести часть вычислительных операций из центрального процессора в свободные ячейки оперативной памяти. Сами исследователи утверждают, что в будущем эта технология позволит избавить от вычислительных процессоров не только компьютеры и лэптопы, но и смартфоны, планшеты и прочих представителей Интернета вещей.
Разработчики утверждают, что открытая ими технология способна заметно увеличить вычислительную мощность и скорость работы компьютеров, так как данные больше не придётся передавать между центральным процессором и оперативной памятью. Также технология позволит значительно уменьшить размеры материнских плат и сэкономить потребление энергии, ведь вместо двух компонентов останется лишь один. Подробности технологии были опубликованы на сайте